ddr3介绍(求助：内存基本知识：DDRDDR2DDR3?)

1.求助：内存基本知识：DDR DDR2 DDR3 ?

什么是DDR1有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。

尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。DDR1规格DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM DDR2.2G记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）什么是 DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。

它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会） DDR2内存的频率进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR3与DDR2的比较DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：1.突发长度（Burst Length,BL）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length,BL）也固定为8 DDR3，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5~11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。

DDR2时AL的范围是0~4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。3.DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。

DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。

当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。

这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。4.DDR3新增ZQ校准功能ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。

这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。点对点连接（Point-to-Point,P2P）这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。

DDR3双列直插内存模块“背面”的测试点在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point,P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。

目前Intel预计在明年第二季所推。

2.什么是DDR3

DDR3是显存！DDR3显存，可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1。

8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0。

11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。 此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。

当然，显存颗粒较长的延迟时间（CAS latency）一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。 客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显： 1）功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

（2）工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 （3）降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。

而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

（4）通用性好：相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 现在明白了？。

3.常见内存型号基础知识是什么

DDR=DoubleDataRate双倍速率同步固态随机处理器

严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用 SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

什么是DDR1?

有时候大家将老的存储技术DDR称为DDR1，使之与DDR2加以区分。尽管一般是使用“DDR”，但DDR1与DDR的含义相同。

DDR1规格

DDR-200:DDR-SDRAM记忆芯片在100MHz下运行DDR-266:DDR-SDRAM记忆芯片在133MHz下运行DDR- 333:DDR-SDRAM记忆芯片在166MHz下运行DDR-400:DDR-SDRAM记忆芯片在200MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高 规格）DDR-500:DDR-SDRAM记忆芯片在250MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-600:DDR-SDRAM记忆芯片在 300MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-700:DDR-SDRAM记忆芯片在350MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）

什么是DDR2?

DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准， 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR 内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运 行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装 可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工 作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

什么是DDR3?

DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16MX32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格 多为32MX32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存 功耗也能进一步降低。

(4)通用性好：相对于DDR变 更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

小提示：大家通过阅读以上为大家详细介绍的常见内存型号基础知识，对于电脑内存是不是有了个深刻的理解了呢！希望能够帮助到大家学习到更多关于电脑基础知识！

4.介绍一下有关DDR3的内存

针对Windows Vista的新一代内存技术（目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下： （1）功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

（2）工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 （3）降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。

而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

（4）通用性好：相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： DDR3 1.8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2.采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： 1.突发长度（Burst Length,BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length,BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5~11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。

DDR2时AL的范围是0~4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。

这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。

当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 5.参考电压分成两个 在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接（Point-to-Point,P2P） 这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point,P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。

在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（Bear Lake）。

5.DDR3到底怎样

在众多电脑配件中，内存虽然被视为三大核心零配件之一，但其更新换代频率明显偏慢。

内存不仅比CPU、显卡、主板换代速度慢很多，甚至比光存储及显示器都要滞后。 在内存的发展史上，早期EDO、SDRAM、DDR等规格每一代产品大约都流行了3-5年时间。

目前主流内存规格早已经过渡到DDR2，而普及时间也超过3年以上了，其频率从DDR2-400一路攀升至DDR2-1200，甚至更高。正当人们逐渐厌倦DDR2内存的频率大战后，2006年国际JEDEC组织正式公布了下一代内存规格——DDR3。

DDR3内存是基于DDR2内存衍生出来的新产品，拥有诸多优点，如：频率更高、功耗更低、稳定性更好。 当然，有优势就伴随着劣势，目前DDR3内存主要的劣势在于：成本居高不下、不与DDR2兼容、高延迟仍没有得到有效解决。

从本质上来讲，DDR3内存并非是一款严格意义上的全新产品，它是在优化了DDR2内存某些特性后的产物，就像是汽车界的“改款车”一样，实质上并没有发生大的变化。 DDR3内存芯片不仅仍使用成熟的FBGA封装工艺，而且就连基础电路设计和制作工艺上也与上代DDR2相差不多，因此DDR3内存仍是DDR家族的一个延续者。

如今，搭载着英特尔P35芯片组的主板已经相继铺货，DDR3内存也终于盼到普及的曙光，今天笔者就来深入分析一下《DDR3内存何时步入主流？》这个话题。 在话题开始前，笔者首先给大家介绍一下DDR3内存的优缺点，以方便读者理解DDR3内存的特性。

首先从工作频率上来看，DDR3可以在800MHz至1666MHz下运行，当然今后也不排除更高频率的产品诞生，而DDR2是在533MHz至1200MHz下运行。 通常，DDR3是DDR2频率的两倍，它通过削减一半读写时间给系统带来操作性能提高。

在设计功耗方面，DDR3内存相比DDR2内存可以节约16%的电能。这因为新一代DDR3内存的工作电压是在1。

5V下，而DDR2内存则是在1。8V电压下工作，这样可以弥补由于过多的操作频率所产生的高电能消耗。

同时，减少的能量消耗可以延长产品的平均使用寿命。 在特色技术方面，DDR3内存BANK增加到了8个，相对于DDR2来说整整提高了一倍。

因此，同频率条件下，DDR3内存相比DDR2内存预读取能力可以提高55%的效率，是DDR2标准的两倍之多。 首先是用户最关心的价格问题，目前主流1GB DDR2-667内存平均价格在310元左右，而1GB DDR3-1333内存价格则在1600左右，两者之间相差了5倍之多，试问有谁会在现在购买DDR3呢？ 其次就是DDR3内存的超前性，虽然目前市场上已经开始有支持DDR3内存的主板销售（例如P35主板已经可以很好支持DDR3内存），但是由于刚上市的新品主板价格不菲，所以造成了用户整体平台投资过大。

此外，DDR2内存和DDR3内存互不兼容也大大制约了它的发展。 最后就是DDR3依然存在高延迟的老毛病，就拿常规1GB DDR3-1066内存为例，标准延迟参数为CL=7，而很多DDR3-1333的延迟值甚至达到了10个周期以上。

所谓内存的延迟，通俗地讲就是内存与CPU、总线发生数据交换前，系统等待内存响应的这个时间，这个值越小越好 DDR3内存要取代DDR2内存成为市场主流，还需要多方的共同努力，时间至少要等到2009年。 目前DDR3内存仍以DDR3-1066和DDR3-1333两种规格为主流，更高频率DDR3内存在短期内实现量产还有一定困难，出货量也非常微小，而且价格过于高昂，甚至接近DDR2内存的10倍。

现在DDR2内存制造工艺已经相当成熟，价格也非常便宜，因此其主流地位短期内还无法撼动，未来会有很长一段时间出现DDR2和DDR3内存并存的现象。 大厂商早已经开始研发DDR3内存，因为这个是内存的发展趋势，就像DDR2取代DDR一样，只是个时间问题。

DDR3的推广也要看业界各厂商态度，因为最近芯片公司都在赔钱，他们很不愿意去投产DDR3内存。其次就是看市场的供求关系，我相信明年DDR3会得到很好普及。

对于大部分专业内存厂商来讲，技术绝对不是DDR3内存普及的难点。我们可以在很短的时间内，转型到生产DDR3内存。

对于主板芯片厂商来讲，虽然目前只有英特尔推出了支持DDR3内存的芯片组，但之前已经与多家内存厂商达成协议，共同来推广DDR3架构内存。 从目前大趋势来看，晶圆及模组厂商已经开始储备DDR3内存，DDR2架构内存逐渐开始减产。

这就意味着，DDR3内存产能提高后，价格会越来越低，同时DDR2内存价格会逐渐失去价格优势。我们预计，DDR3-1066内存将成为2008年市场中的主流产品。

对于DDR3内存来说，因为早期产量和需求都十分有限，主要是根据用户的需求进行小批量接单生产，因此其价格会在至少6个月内维持在高位。而到年底之后，随着内存需求的增加，DDR3的价格将开始下降。

另外，内存生产即将从90nm工艺过渡到70nm工艺。 在新制程下，相同的晶圆可以生产出更多的内存颗粒，因此成本会有显著降低，价格也会随之下降。

预计，2009年DDR3内存有可能会成为市场主流。 DDR3势必代替DDR2成为内存市场新霸主。

目前DDR3内存的普及问题主要是价格因素，不过从厂商的态度来看。

6.哪位高手可以详细介绍下DDR3显卡的特点以及优势及各方面特点 快些

针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

7.什么是DDR3

针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。