CMP,即Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光。
CMP技术所采用的设备及消耗品包括:抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。 CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。
该技术最初是用于获取高质量的玻璃表面,如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中,而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后,CMP技术在世界各地迅速发展起来。
区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法,CMP通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。 它利用了磨损中的"软磨硬"原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
CMP抛光液是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品,广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。 。
计算机:Chip multiprocessors,单芯片多处理器,也指多核心
电子:Chemical Mechanical Planarization,化学机械平坦化
综合布线:Plenum Cable,天花板隔层电缆
计算机:
CMP是由美国斯坦福大学提出的,其思想是将大规模并行处理器中的SMP(对称多处理器)集成到同一芯片内,各个处理器并行执行不同的进程。与CMP比较, SMT处理器结构的灵活性比较突出。但是,当半导体工艺进入0.18微米以后,线延时已经超过了门延迟,要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。相比之下,由于CMP结构已经被划分成多个处理器核来设计,每个核都比较简单,有利于优化设计,因此更有发展前途。目前,IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP结构。多核处理器可以在处理器内部共享缓存,提高缓存利用率,同时简化多处理器系统设计的复杂度。
电子
化学机械平坦化 (英语:Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又称化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是半导体器件制造工艺中的一种技术,使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。
益德隆高速钢锯片厂家教你怎么研磨高速钢圆锯片才好用? (一)首先就是清洗,需要配合正确的清洗液。
(二)进行钢板的平整度的测试与修复。 (三)检查刀头,查看是否崩齿、掉齿,磨损的程度与刀头是否打弯。
然后进行刀头的修复,磨损严重的只能更换了。 (四)放入调试好参数的全自动研磨机进行自动修复了。
然而,机器的预先调试就需要注意砂轮的选择。砂轮的选择是注意砂轮的力度,进刀速度跟时间。
(五)对锯片的检查。然后进行包装,加上包管。
在这里智欣行刀具给大家的建议是,尽量不要选择手工修磨。 手工修磨,每次的进刀量是难以控制,精度不精准,最致命地导致每个刀头不再同一圆内,影响产品的切面效果,增加划痕,有毛刺,影响下一道工序,直接导致企业生产效率低下。
另外,正因为是手工操作,削磨量很容易过重,导致原本能修磨10次的铝合金门窗锯片只能磨3-5次,降低锯片的使用寿命,进而使企业生产成本增加。 高速钢圆锯片研磨后的效果分析 圆锯片研磨后效果分析也是比较关键的一步,根据实用情况我们可以判断,研磨后品质如何,研磨前后的对比,并是否达到用户理想效果,这一步至关重要。
查看全文。
声明:本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
蜀ICP备2020033479号-4 Copyright © 2016 学习鸟. 页面生成时间:17.919秒