模电flash(flash学习知识点)
1.flash学习知识点
以下知识点涵盖了FLASH的入门和中级所要掌握的知识点，最后两点在设计方面尤为重要，引导和遮罩。（软件ADOBE FLASH） 帧帧动画是什么？帧帧动画又成为逐帧动画，它是动画基本形式，在需要细致表现对象运动效果的时候可以采用帧帧动画的形 式。帧帧动画每一帧都有不同的内容。大家知道，在Falsh中关键帧将影响发布的作品的体积，关键帧越多，作品的体积越大。因此在实际使用中，大家应根据 作品表现内容的需要合理使用帧帧动画和补间动画。
什么是补间动画？所谓补间动画又叫做中间帧动画，渐变动画，只要建立起始和结束的画面，中间部分由软件自动生成，省去了中间动画制作的复杂过程，这正是Flash的迷人之处，补间动画是Flash中最常用的动画效果。
什么是形状补间？形状补间又叫做形状渐变，适用的对象为图形，形状补间可以实现移动、缩放、旋转、填充渐变色、对象加速，减速，变形等效果。形状补间起止对象都必须是图形（形状）Flash软件工具箱中工具绘制的图都是图形，可以直接制作形状补间。
什么是动作补间？动作补间又叫运动渐变，适用对象是元件。动作补间可以实现位置移动、大小变化、颜色变化、透明度变化，明暗、色调变化等效果。动作补间起止对象都必须是元件。
区分图形和元件的方法是什么？选择黑箭头工具，点击场景中的元素，如果是呈麻点状的元素是图形，呈现蓝色边框状的是元件或者是组合的图形。元素不是图形时，如果要使用形状补间，可以使用打散（分离）命令。元素不是元件时，如果要使用动作补间，可以使用组合或者转换成元件命令。
引导线使用的方法引导线实际上是建立在引导层上的给出运动的轨迹。首先要注意引导层应在运动层上面并启用“对齐对象”工具，在引导线的起始位置注意注册点的对齐（吸附）
遮罩层的使用方法遮罩层应位于被遮罩层的上方，遮罩层中元素的形状是我们看到下面一层的画面的形状。这里要注意区别，在很多Flash 作品中为了遮挡住工作区中不希望显示在场景中的动画和元素，大家通常使用遮片，遮片通常是建立一图层，绘制一个大于场景的图形，中间留出空隙来显示下面的 图层，遮片位于所有图层的最上方，是一个普通层，而遮罩层只位于被遮罩层上方，是一个特殊层。
2.Nand flash基本知识
nand flash 原理简介【转】 Fisrt part :NAND flash和NOR flash的不同 NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。
NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序（MTD）,NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》 Second part:NAND Flash结构与驱动分析 一、NAND flash的物理组成NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。
这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208，下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)），每32个page形成一个Block(32*528B)。
具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*(32*528B)=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。
NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： Column Address:Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位Page Address ：页地址Block Address ：块地址对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。
二、NAND Flash地址的表示512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。
A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page,0表示1st,1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。
例如64MB(512Mb)的NAND flash（实际中由于存在spare area，故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR 为例：第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。 第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。
如果NAND Flash 的容量是32MB(256Mbit)以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。 下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。
由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。
除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。 三、NAND flash驱动解读以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。
我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。
在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。
在vivi中，有关。
3.模拟电路基础知识
原发布者：zhanghefangha
第1章电路的基础知识1.1电路和电路模型1.2电路中的主要物理量1.3电路的基本元件1.4基尔霍夫定律1.5基尔霍夫定律1.6简单电阻电路的分析方法第1章电路的基础知识本章要求：本章要求：1.理解电压与电流参考方向的意义；1.理解电压与电流参考方向的意义；理解电压与电流参考方向的意义2.理解电路的基本定律并能正确应用；理解电路的基本定律并能正确应用；3.了解电路的有载工作、开路与短路状态，了解电路的有载工作、开路与短路状态，理解电功率和额定值的意义；理解电功率和额定值的意义；4.会计算电路中各点的电位。会计算电路中各点的电位。1.1电路和电路模型电路是电流的通路，电路是电流的通路，是为了某种需要由电工设备或电路元件按一定方式组合而成。或电路元件按一定方式组合而成。1.电路的作用（1）实现电能的传输、分配与转换实现电能的传输、发电机升压变压器输电线降压变压器电灯电动机电炉。（2）实现信号的传递与处理（2）实现信号的传递与处理话筒扬声器放大器2.电路的组成部分电路的组成部分电源：电源提供电能的装置升压变压器输电线负载：负载取用电能的装置电灯电动机电炉。发电机降压变压器中间环节：传递、中间环节：传递、分配和控制电能的作用2.电路的组成部分2.电路的电路的组成部分信号源：信号源提供信息信号处理：信号处理：放大、调谐、放大、调谐、检波等话
4.flash制作需要哪方面的基础
要做那样的网站很简单`
第一`你要会做flash动作``就是帧动作`
当然可以用as来做但这个比较复杂``还是用帧做比较好
做成影片剪辑 然后 你还要会简单的AS代码``比如说按钮的联接``点击按钮转到指定的影片
其它的就没什么了
哎哟````还不够啊`
说实话``做flash网站好看`
但如果你不懂基本的as 那还是不行`
as 是控制按钮``图效等等的程序``
如果你只是做出影片动作`但你还得用东西来控制``还要实现跳转`
所以说``要做flash网站``基本的东西除了影片动作`还要简单的as
个人觉的不需要c++也能做出那样的网站！
5.模拟电路基础知识是什么
模电就是处理模拟电子信号的东西（连续变化的电子信号，就像温度的连续变化一样），其实说全面点，模电包括“低频电子”和“高频电子”，普通电子专业的模电教材是低频的，而高频有专门的教材。
初学者先学低频吧。
这个知识就太多了，因为信号是很复杂的，用到的东西当然多了。
其实放大就是模电里很核心的一块内容的，不要单纯地去理解“放大”，要按照用途来理解，比如阻抗变换等等。. 其实对于初学者，能把二极管、三极管的原理与电路弄清楚就OK了，再适当地接触下电容和电感，把它们的典型电路和原理弄清楚了，模电就学成了。
6.模电,模拟电子技术基础
第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低： 若 V阳 >V阴（ 正偏 ），二极管导通（短路）； 若 V阳 <V阴（ 反偏 ），二极管截止（开路）。1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2） 等效电路法Ø 直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低： 若 V阳 >V阴（ 正偏 ），二极管导通（短路）； 若 V阳 <V阴（ 反偏 ），二极管截止（开路）。*三种模型Ø 微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章 三极管及其基本放大电路1.类型---分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态。
7.模拟电路基础知识是什么
模电就是处理模拟电子信号的东西（连续变化的电子信号，就像温度的连续变化一样），其实说全面点，模电包括“低频电子”和“高频电子”，普通电子专业的模电教材是低频的，而高频有专门的教材。
初学者先学低频吧。
这个知识就太多了，因为信号是很复杂的，用到的东西当然多了。
其实放大就是模电里很核心的一块内容的，不要单纯地去理解“放大”，要按照用途来理解，比如阻抗变换等等。. 其实对于初学者，能把二极管、三极管的原理与电路弄清楚就OK了，再适当地接触下电容和电感，把它们的典型电路和原理弄清楚了，模电就学成了。
