光伏物理(光伏发电基本常识?)
1.光伏发电基本常识?
我就是做光伏发电了，基本常识太多了 我就列举几个：1.光伏指的是光生伏特效应，一定条件下光能产生电压，从而产生电流，电能2.光伏发电是发的是直流电，一般都需要逆变器转化才能并到国家电网或者自己使用3.太阳能电池板主流的分为 晶硅和薄膜两大类，薄膜以汉能为代表，晶硅的有多晶硅和单晶硅之分，目前市场的太阳能电池板以晶硅类的为主，厂家较多，在此不列举了4，光伏发电主要有 ：组件（太阳能电池板），逆变器，支架，三大部分组成5，光伏发电效率受 光照强度和温度影响很大，温度过高过低都会影响发电效率 25度为宜6，前几年做光伏的企业都赚翻了，但是今年受政策影响，会死一批光伏企业，7，光伏发电有很多形式，户用分布式，工商业屋顶，集中地面电站，农光互补，渔光互补，等等8.光伏发电的电价全国不一样，太多了，这里就不一一列举了，有问题，欢迎加关注，私信我。
2.太阳光伏基本原理?
太阳能电池是一种具有光电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏发电的最基本单元。太阳电池特有的电特性是借助在晶体硅中掺入某些元素（例如 磷或硼等）。从而在材料的分子电荷里造成永久的不平衡，形成具有特殊电性能的半导体材料。在阳光照射下，具有特殊电性能的半导体内可以产生自由电荷，这些自由电荷定向移动并积累，从而在其两端形成电动势，当用导体将其两端闭合时便产生电流。这种现象被称为“光生伏打效应”，简称光伏效应。
目前应用最广的属单晶硅太阳能电池，它由两层半导体材料组成，其厚度大约0.25MM，形成两个区域：一个正电荷区，一个负电荷区。负区位于电池的上层，在这一层强迫渗透磷、硼等元素并与硅粘在一起。正区置于电池表层的下面，正负界面区域称为P-N结。制造电池时P-N结被赋予了恒定的物理特性。当阳光投射到电池内保持松散状态的电子时，这些靠近P-N结的电子将朝电池的表层流动，用金属线将太阳能电池的正伏级与伏载相连时，在外电路就形成了电流。每个太阳能电池基本单元P-N结处的电动势大约为0.5V，此电压值大小与电池片的尺寸无关。太阳能电池的输出电流受自身面积和日照强度的影响，面积较大的电池能够产生较强的电流。
3.有关光伏发电的知识有哪些?
光伏是太阳能光伏发电系统的简称，是一种利用太阳电池半导体材料的光伏效应，将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统，有独立运行和并网运行两种方式。
太阳能光伏效应，简称光伏（PV），又称为光生伏特效应（Photovoltaic），是指光照时不均匀半导体或半导体与金属组合的部位间产生电位差的现象。 光伏被定义为射线能量的直接转换。
在实际应用中通常指太阳能向电能的转换，即太阳能光伏。它的实现方式主要是通过利用硅等半导体材料所制成的太阳能电板，利用光照产生直流电，比如我们日常生活中随处可见的太阳能电池。
光伏技术具备很多优势：比如没有任何机械运转部件；除了日照外，不需其它任何"燃料"，在太阳光直射和斜射情况下都可以工作；而且从站址的选择来说，也十分方便灵活，城市中的楼顶、空地都可以被应用。 自1958年起，太阳能光伏效应以太阳能电池的形式在空间卫星的供能领域首次得到应用。
时至今日，小至自动停车计费器的供能、屋顶太阳能板，大至面积广阔的太阳能发电中心，其在发电领域的应用已经遍及全球。 。
4.关于光伏发电管理的小知识
随着全球经济的大发展，人们都在追求更加舒适生活，而这一切的基础就是消耗大量的能源。
化石燃料是地球在漫长的形成过程中产生的有限的资源。人类已经消耗了大量的化石燃料，化石燃料不仅在燃烧的过程中严重污染了环境，而且在开采时也严重的破坏了环境。
太阳能是资源丰富的可再生能源，它分布广泛，可再生，不污染环境，是国际公认的理想替代能源。 远程监控：观测当前运行逆变器的信息，包含发电量、电压、电流等。
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5.各种光伏电池原理是什么
1、本征半导体光伏电池原理 这种半导体是经过光照刺激后会直接刺激里面的电子随水流的流动而发生流动，利用内部的惰性气体防止电子流失，同时加快内部半导体的电子摆脱程度。
本征半导体就是纯正的半导体，容易发生电子的流失。比杂质半导体光伏电池转化率要高很多。
2、杂质半导体光伏电池 这是第二代光伏电池，由于在当时限于半导体的提纯技术的影响。所以当时光伏电池的半导体并不纯净。
原理和本质光伏电池的原理相同，只是转化率比较低而已。现在还有很多家庭在用这种光伏电池。
3、伏打光伏电池 这种光伏电池就是运用太阳光照射在光伏打器上就会形成相应的光电子对，在N区和消耗区相互结合激发P区中的电子形成大量的光电子。 这时候就会形成相应的电场这是光电子在电场的作用下，光伏电池的边界处移动，到来消耗区的边界，这时电子的浓度就会成为零电子（所谓的零电子就是本身不带电的电子）。
这样就完成了光电池在光的作用下进行发电的原理了。
6.太阳能光伏发电原理图
第一章 太阳电池的工作原理和基本特性1.1 半导体物理基础1.1.1 半导体的性质 世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。
容易导电 的称为导体，如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见 的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等；导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱 离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。
金属之所以容易导电，是因为在金属体 内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规则地沿着电场的相反方向流 动，形成了电流。自由电子的数量越多，或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越 高，电流就越大。
电子流动运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子。在常 温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不呈现导电性。
半导体内有少量的自由电 子，在一些特定条件下才能导电。半导体可以是元素，如硅（Si）和锗（Ge），也可以是化合物，如硫化镉（OCLS）和 砷化镓（GaAs），还可以是合金，如GaxAL1-xAs，其中x 为0-1 之间的任意数。
许多有机化合 物，如蒽也是半导体。半导体的电阻率较大（约10-5≤ρ≤107Ω⋅m），而金属的电阻率则很小（约10-8∼10-6Ω⋅m），绝缘体的电阻率则很大（约ρ≥108Ω⋅m）。
半导体的电阻率对温度的反应灵敏，例如锗的温度 从200C 升高到300C，电阻率就要降低一半左右。金属的电阻率随温度的变化则较小，例如 铜的温度每升高1000C，ρ增加40%左右。
电阻率受杂质的影响显著。金属中含有少量杂质 时，看不出电阻率有多大的变化，但在半导体里掺入微量的杂质时，却可以引起电阻率很大 的变化，例如在纯硅中掺入百万分之一的硼，硅的电阻率就从2.14*103Ω⋅m 减小到0.004Ω⋅m 左右。
金属的电阻率不受光照影响，但是半导体的电阻率在适当的光线照射下可以发生显著 的变化。1.1.2 半导体物理基础1.1.2.1 能带结构和导电性 半导体的许多电特性可以用一种简单的模型来解释。
硅是四价元素，每个原子的最外 壳层上有4 个电子，在硅晶体中每个原子有4 个相邻原子，并和每一个相邻原子共有两个价 电子，形成稳定的8 电子壳层。自由空间的电子所能得到的能量值基本上是连续的，但在晶体中的情况就可能截然不 同了，孤立原子中的电子占据非常固定的一组分立的能线，当孤立原子相互靠近，规则整齐 排列的晶体中，由于各原子的核外电子相互作用，本来在孤立原子状态是分离的能级扩展，根据情况相互重叠，变成如图2.1 所示的带状。
电子许可占据的能带叫允许带，允许带与允 许带间不许可电子存在的范围叫禁带。太阳能电池培训手册 __________________________________________________________________ 2 图2.1 原子间距和电子能级的关系 在低温时，晶体内的电子占有最低的可能能态。
但是晶体的平衡状态并不是电子全都 处在最低允许能级的一种状态。基本物理定理——泡利（Pauli）不相容原理规定，每个允 许能级最多只能被两个自旋方向相反的电子所占据。
这意味着，在低温下，晶体的某一能级 以下的所有可能能态都将被两个电子占据，该能级称为费米能级（EF）。随着温度的升高，一些电子得到超过费米能级的能量，考虑到泡利不相容原理的限制，任一给定能量E 的一个 所允许的电子能态的占有几率可以根据统计规律计算，其结果是由下式给出的费米-狄拉克 分布函数f(E)，即（ ） （ ） KT E EF e f E −+=11 现在就可用电子能带结构来描述金属、绝缘体和半导体之间的差别。
电导现象是随电子填充允许带的方式不同而不同。被电子完全占据的允许带（称为满 带）上方，隔着很宽的禁带，存在完全空的允许带（称为导带），这时满带的电子即使加电 场也不能移动，所以这种物质便成为绝缘体。
允许带不完全占满的情况下，电子在很小的电 场作用下就能移动到离允许带少许上方的另一个能级，成为自由电子，而使电导率变得很大，这种物质称为导体。所谓半导体，即是天然具有和绝缘体一样的能带结构，但禁带宽度较小 的物质。
在这种情况下，满带的电子获得室温的热能，就有可能越过禁带跳到导带成为自由 电子，它们将有助于物质的导电性。参与这种电导现象的满带能级在大多数情况下位于满带 的最高能级，因此可将能带结构简化为图2.2 。
另外，因为这个满带的电子处于各原子的 最外层，是参与原子间结合的价电子，所以又把这个满带称为价带。图中省略了导带的上部 和价带的下部。
半导体结晶在相邻原子间存在着共用价电子的共价键。如图2.2 所示，一旦 从外部获得能量，共价键被破坏后，电子将从价带跃造到导带，同时在价带中留出电子的一 个空位。
这个空位可由价带中邻键上的电子来占据，而这个电子移动所留下的新的空位又可 以由其它电子来填补。这样，我们可以看成是空位在依次地移动，等效于带正电荷的粒子朝 着与电子运动方向相反的方向移动，称它为空穴。
在半导体中，空穴和导带中的自由电子一 样成为导电的带电粒子（即载流。
